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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CE
  仓库库存编号：IPD50R650CECT-ND
  别名：IPD50R650CECT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 342pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 342pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.6A（Tc） 27.2W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R650CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R650CEXKSA2-ND
  别名：SP001217232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 342pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.1A（Tc） 27.2W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R650CE
  仓库库存编号：IPA50R650CE-ND
  别名：IPA50R650CEXKSA1
  SP000992086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 342pF @ 100V,
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