产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4810pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 73A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPD70P04P409ATMA1CT-ND
别名:IPD70P04P409ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4810pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S51R7ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4810pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 660W(Tc) TO-247
型号:
IXFH46N65X2
仓库库存编号:
IXFH46N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4810pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 72A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPB70P04P409ATMA1-ND
别名:SP000735964
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4810pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 72A(Tc) 75W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI70P04P409AKSA1
仓库库存编号:
IPI70P04P409AKSA1-ND
别名:SP000735974
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4810pF @ 25V,
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