产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.1W(Ta),19W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS5826NLTAG
仓库库存编号:
NTTFS5826NLTAGOSCT-ND
别名:NTTFS5826NLTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ20PBF
仓库库存编号:
IRFZ20PBF-ND
别名:*IRFZ20PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
型号:
DMG4511SK4-13
仓库库存编号:
DMG4511SK4-13DICT-ND
别名:DMG4511SK4-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
STD10PF06-1
仓库库存编号:
497-12781-5-ND
别名:497-12781-5
STD10PF06-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 3.2W(Ta),22W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5826NLTWG
仓库库存编号:
NVTFS5826NLTWGOSCT-ND
别名:NVTFS5826NLTWGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 3.2W(Ta),22W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5826NLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5826NLWFTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2W(Ta), 57W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5824NLTWG
仓库库存编号:
NVTFS5824NLTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2W(Ta), 57W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5824NLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5824NLWFTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 3.2W(Ta),22W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5826NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5826NLWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2W(Ta), 57W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5824NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5824NLTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2W(Ta), 57W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5824NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5824NLWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12PF06
仓库库存编号:
497-2721-5-ND
别名:497-2721-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 10A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
STD10PF06T4
仓库库存编号:
497-2456-1-ND
别名:497-2456-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN3PF06
仓库库存编号:
497-4116-1-ND
别名:497-4116-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12PF06
仓库库存编号:
STF12PF06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ20
仓库库存编号:
IRFZ20-ND
别名:*IRFZ20
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 7.6A(Ta) 32W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK4007DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK4007DPP-M0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 25A(Tc) 75W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD22N08S2L-50
仓库库存编号:
SPD22N08S2L-50-ND
别名:SP000013910
SPD22N08S2L50T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 25V,
含铅
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