产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 19A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NPBF-ND
别名:*IRF9Z34NPBF
SP001560182
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DPBF
仓库库存编号:
IRFR13N15DPBF-ND
别名:SP001556864
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N60C3INCT
SPD06N60C3INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRPBF-ND
别名:SP001571424
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD06N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117770
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.2A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA06N60C3
仓库库存编号:
SPA06N60C3IN-ND
别名:SP000216301
SPA06N60C3IN
SPA06N60C3XK
SPA06N60C3XKSA1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU13N15D
仓库库存编号:
IRFU13N15D-ND
别名:*IRFU13N15D
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NL
仓库库存编号:
IRF9Z34NL-ND
别名:*IRF9Z34NL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 14A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9Z34N
仓库库存编号:
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTR
仓库库存编号:
IRFR13N15DTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRL
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MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRR
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NLPBF-ND
别名:*IRF9Z34NLPBF
SP001570616
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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