产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 17A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4447A
仓库库存编号:
785-1198-1-ND
别名:785-1198-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),106A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF024N03LT3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
别名:BSF024N03LT3 GCT
BSF024N03LT3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta),30A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6405L
仓库库存编号:
785-1340-1-ND
别名:785-1340-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 33V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 33V 80A(Tc) 115W(Tc) TO-220
型号:
AOT500
仓库库存编号:
AOT500-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 5W(Ta),56W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7374DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7374DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7374DP-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 5W(Ta),56W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7374DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7374DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LAT4
仓库库存编号:
STV160NF02LAT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE830DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE830DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE830DF-T1-E3CT
SIE830DFT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE830DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE830DF-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V,
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