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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3483CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3483CDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA18ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA18ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA18ADN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA18DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA18DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA18DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4E075ATTCR
  仓库库存编号：RF4E075ATTCRCT-ND
  别名：RF4E075ATTCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc）
  
  型号：SI3483CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3483CDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3483CDV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N03L G
  仓库库存编号：IPD135N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD135N03L GCT
  IPD135N03L GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA18ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA18ADP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA18DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA18DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS322DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS322DNT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS322DNT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4276DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4276DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 49A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.4A（Ta），49A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1428
  仓库库存编号：785-1125-1-ND
  别名：785-1125-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4276DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4276DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4276DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA18DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA18DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA18DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N03LGXT
  仓库库存编号：IPD135N03LGXTCT-ND
  别名：IPD135N03LGINCT
  IPD135N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP147N03L G
  仓库库存编号：IPP147N03LGIN-ND
  别名：IPP147N03LGIN
  IPP147N03LGXK
  SP000266315
  SP000680874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS135N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS135N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS135N03L G
  IPS135N03LGIN
  IPS135N03LGIN-ND
  IPS135N03LGXK
  SP000257455
  SP000788220
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N03L G
  仓库库存编号：IPU135N03LGIN-ND
  别名：IPU135N03LGIN
  IPU135N03LGXK
  SP000260752
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB147N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB147N03LGATMA1TR-ND
  别名：IPB147N03L G
  IPB147N03L G-ND
  SP000254712
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V,
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