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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N60P3
  仓库库存编号：IXFQ50N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ88N30P
  仓库库存编号：IXTQ88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH88N30P
  仓库库存编号：IXTH88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N60P3
  仓库库存编号：IXFH50N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT88N30P
  仓库库存编号：IXFT88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60P3
  仓库库存编号：IXFT50N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ100N25P
  仓库库存编号：IXTQ100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IXFH100N25P
  仓库库存编号：IXFH100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK100N25P
  仓库库存编号：IXTK100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK88N30P
  仓库库存编号：IXTK88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT100N25P
  仓库库存编号：IXTT100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT88N30P
  仓库库存编号：IXTT88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH88N30P
  仓库库存编号：IXFH88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK88N30P
  仓库库存编号：IXFK88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6300pF @ 25V,
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