以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R9-40E,127
  仓库库存编号：1727-1131-ND
  别名：1727-1131
  568-10286
  568-10286-5
  568-10286-5-ND
  568-10286-ND
  934066982127
  BUK7E1R9-40E,127-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 577W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140N12T2
  仓库库存编号：IXTP140N12T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 577W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA140N12T2
  仓库库存编号：IXTA140N12T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R7-40E,118
  仓库库存编号：1727-1088-1-ND
  别名：1727-1088-1
  568-10241-1
  568-10241-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 280A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH280N055T
  仓库库存编号：IXTH280N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ280N055T
  仓库库存编号：IXTQ280N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索