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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1STRR
  仓库库存编号：IRL3303D1STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRR
  仓库库存编号：IRLR024TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRLZ24L
  仓库库存编号：IRLZ24L-ND
  别名：*IRLZ24L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24S
  仓库库存编号：IRLZ24S-ND
  别名：*IRLZ24S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24STRL
  仓库库存编号：IRLZ24STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24STRR
  仓库库存编号：IRLZ24STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD19N10LTF
  仓库库存编号：FQD19N10LTF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 19A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP19N10L
  仓库库存编号：FQP19N10L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 19A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N10LTM
  仓库库存编号：FQB19N10LTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13.6A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N10L
  仓库库存编号：FQPF19N10L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2705TR
  仓库库存编号：IRLL2705CT-ND
  别名：*IRLL2705TR
  IRLL2705CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303
  仓库库存编号：IRL3303-ND
  别名：*IRL3303
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303S
  仓库库存编号：IRL3303S-ND
  别名：*IRL3303S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：94-4007
  仓库库存编号：94-4007-ND
  别名：*IRLR3303
  IRLR3303
  IRLR3303-ND
  Q811927
  SP001519058
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3303TR
  仓库库存编号：IRLR3303TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3303
  仓库库存编号：IRLU3303-ND
  别名：*IRLU3303
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3303L
  仓库库存编号：IRL3303L-ND
  别名：*IRL3303L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303D1
  仓库库存编号：IRL3303D1-ND
  别名：*IRL3303D1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1S
  仓库库存编号：IRL3303D1S-ND
  别名：*IRL3303D1S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1STRL
  仓库库存编号：IRL3303D1STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRL
  仓库库存编号：IRL3303STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRR
  仓库库存编号：IRL3303STRR-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3303TRL
  仓库库存编号：IRLR3303TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3303TRR
  仓库库存编号：IRLR3303TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO4804
  仓库库存编号：BSO4804INCT-ND
  别名：BSO4804INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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