产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6218STRLPBF
仓库库存编号:
IRF6218STRLPBFCT-ND
别名:IRF6218STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 27A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF6218PBF
仓库库存编号:
IRF6218PBF-ND
别名:*IRF6218PBF
SP001564812
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6218STRL
仓库库存编号:
AUIRF6218STRLTR-ND
别名:AUIRF6218STRLTR
SP001517990
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6644TR1PBFCT-ND
别名:IRF6644TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644
仓库库存编号:
IRF6644-ND
别名:SP001574786
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1
仓库库存编号:
IRF6644TR1-ND
别名:SP001561926
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6218S
仓库库存编号:
AUIRF6218S-ND
别名:SP001516490
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V,
无铅
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