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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN2540N8-G
  仓库库存编号：DN2540N8-GCT-ND
  别名：DN2540N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL014TRPBF
  仓库库存编号：IRFL014PBFCT-ND
  别名：*IRFL014TRPBF
  IRFL014PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2530N3-G
  仓库库存编号：DN2530N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2540N3-G
  仓库库存编号：DN2540N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ14PBF
  仓库库存编号：IRFZ14PBF-ND
  别名：*IRFZ14PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14SPBF
  仓库库存编号：IRFZ14SPBF-ND
  别名：IRFZ14SPBFCT
  IRFZ14SPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G
  仓库库存编号：DN2535N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU220NPBF
  仓库库存编号：IRFU220NPBF-ND
  别名：*IRFU220NPBF
  SP001567710
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU014PBF
  仓库库存编号：IRFU014PBF-ND
  别名：*IRFU014PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2640N3-G
  仓库库存编号：TP2640N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ14GPBF
  仓库库存编号：IRFIZ14GPBF-ND
  别名：*IRFIZ14GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN2530N8-G
  仓库库存编号：DN2530N8-GCT-ND
  别名：DN2530N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N25TM
  仓库库存编号：FQD6N25TMFSCT-ND
  别名：FQD6N25TMFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR014TRPBF
  仓库库存编号：IRFR014TRPBFCT-ND
  别名：*IRFR014TRPBF
  IRFR014PBFCT
  IRFR014PBFCT-ND
  IRFR014TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR220NTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR220NTRPBF
  IRFR220NPBFCT
  IRFR220NPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN3205N3-G
  仓库库存编号：VN3205N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DN2540N5-G
  仓库库存编号：DN2540N5-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 650mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VP3203N3-G
  仓库库存编号：VP3203N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DN2535N5-G
  仓库库存编号：DN2535N5-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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  MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2635N3-G
  仓库库存编号：TP2635N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ10PBF
  仓库库存编号：IRFZ10PBF-ND
  别名：*IRFZ10PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 6.9W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT4NQ10T,135
  仓库库存编号：1727-5337-1-ND
  别名：1727-5337-1
  568-6777-1
  568-6777-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3422
  仓库库存编号：785-1015-1-ND
  别名：785-1015-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P003
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P013
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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