产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2540N3-G-P003
仓库库存编号：
DN2540N3-G-P003-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ14STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN3205N3-G-P002
仓库库存编号：
VN3205N3-G-P002-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VN3205N8-G
仓库库存编号：
VN3205N8-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VP3203N8-G
仓库库存编号：
VP3203N8-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） 8-SOIC
型号：
TP2640LG-G
仓库库存编号：
TP2640LG-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014
仓库库存编号：
IRFR014-ND
别名：*IRFR014
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14
仓库库存编号：
IRFZ14-ND
别名：*IRFZ14
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ14G
仓库库存编号：
IRFIZ14G-ND
别名：*IRFIZ14G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL014
仓库库存编号：
IRFL014-ND
别名：*IRFL014
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL014TR
仓库库存编号：
IRFL014TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TR
仓库库存编号：
IRFR014TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU014
仓库库存编号：
IRFU014-ND
别名：*IRFU014
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14S
仓库库存编号：
IRFZ14S-ND
别名：*IRFZ14S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TRL
仓库库存编号：
IRFR014TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TRR
仓库库存编号：
IRFR014TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ10
仓库库存编号：
IRFZ10-ND
别名：*IRFZ10
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ14L
仓库库存编号：
IRFZ14L-ND
别名：*IRFZ14L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRL
仓库库存编号：
IRFZ14STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRR
仓库库存编号：
IRFZ14STRR-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU6N25TU
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FQU6N25TU-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 250V 4A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N25
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FQPF6N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD3055SM
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RFD3055SM-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6N25TF
仓库库存编号：
FQD6N25TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-251AA
型号：
RFD3055
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RFD3055-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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