产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1890pF @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 510mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV32UP,215
仓库库存编号:
1727-1153-1-ND
别名:1727-1153-1
568-10321-1
568-10321-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1890pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK03M5DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK03M5DPA-00#J5A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1890pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta) 15W(Tc) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
RJK03M5DNS-00#J5
仓库库存编号:
RJK03M5DNS-00#J5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1890pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 28A(Ta) 37W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB6021P
仓库库存编号:
FDB6021P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1890pF @ 10V,
无铅
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