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• EPC
  TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2016C
  仓库库存编号：917-1080-1-ND
  别名：917-1080-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NM60N
  仓库库存编号：497-7530-5-ND
  别名：497-7530-5
  STP6NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.75A（Tc） 70W（Tc） PowerFLAT?（5x5）
  
  型号：STL6NM60N
  仓库库存编号：497-7992-1-ND
  别名：497-7992-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6NM60N
  仓库库存编号：STF6NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6NM60N
  仓库库存编号：STD6NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6NM60N
  仓库库存编号：497-8770-1-ND
  别名：497-8770-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD6NM60N-1
  仓库库存编号：STD6NM60N-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 50V,
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