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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86101
  仓库库存编号：FDMS86101CT-ND
  别名：FDMS86101CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86322
  仓库库存编号：FDMS86322CT-ND
  别名：FDMS86322CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 9.4A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），98A（Tc） 1.2W（Ta）, 139W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT10H010LPS-13
  仓库库存编号：DMT10H010LPS-13DICT-ND
  别名：DMT10H010LPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 90A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 126W（Tc） TO-220
  
  型号：TK40E10N1,S1X
  仓库库存编号：TK40E10N1S1X-ND
  别名：TK40E10N1,S1X(S
  TK40E10N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK40A10N1,S4X
  仓库库存编号：TK40A10N1S4X-ND
  别名：TK40A10N1,S4X(S
  TK40A10N1,S4X-ND
  TK40A10N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 2W（Ta）, 139W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT10H010LCT
  仓库库存编号：DMT10H010LCTDI-ND
  别名：DMT10H010LCTDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），29.5A（Tc） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT10H010LSS-13
  仓库库存编号：DMT10H010LSS-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 37A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（SH）
  
  型号：SIE804DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE804DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 50V,
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