产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(81)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(80)
筛选品牌
Infineon Technologies (3)
IXYS (6)
Microsemi Corporation (1)
NXP USA Inc. (4)
Fairchild/ON Semiconductor (11)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (2)
Sanken (1)
STMicroelectronics (27)
Taiwan Semiconductor Corporation (6)
Vishay Siliconix (18)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 88W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM040N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM040N03CP ROGTR-ND
别名:TSM040N03CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 88W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM040N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM040N03CP ROGCT-ND
别名:TSM040N03CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 88W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM040N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM040N03CP ROGDKR-ND
别名:TSM040N03CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD96N3LLH6
仓库库存编号:
497-11214-1-ND
别名:497-11214-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP95N3LLH6
仓库库存编号:
497-10307-5-ND
别名:497-10307-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SQ4284EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4284EY-T1_GE3-ND
别名:SQ4284EY-T1-GE3
SQ4284EY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 30A(Ta) 50W(Tc) LPTS
型号:
RSJ300N10TL
仓库库存编号:
RSJ300N10TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI540GPBF
仓库库存编号:
IRLI540GPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 65W(Ta) WPAK(3F)(5x6)
型号:
RJK2075DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK2075DPA-00#J5A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 65W(Tc) WPAK(3F)(5x6)
型号:
RJK1575DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK1575DPA-00#J5A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Ta) 40W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2420
仓库库存编号:
2SK2420-ND
别名:2SK2420 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI540G
仓库库存编号:
IRLI540G-ND
别名:*IRLI540G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH7N90Q
仓库库存编号:
IXFH7N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH9N80Q
仓库库存编号:
IXFH9N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT6N100Q
仓库库存编号:
IXFT6N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT9N80Q
仓库库存编号:
IXFT9N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT7N90Q
仓库库存编号:
IXFT7N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8401TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFR8401TRL-ND
别名:IFAUIRFR8401TRL
SP001520504
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU8401
仓库库存编号:
IRAUIRFU8401-ND
别名:IRAUIRFU8401
SP001518756
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 60A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD60NH03L-1
仓库库存编号:
497-3164-5-ND
别名:497-3164-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD60NH03LT4
仓库库存编号:
STD60NH03LT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP95N04
仓库库存编号:
497-5132-5-ND
别名:497-5132-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB60N55F3
仓库库存编号:
497-5954-1-ND
别名:497-5954-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD70N03L
仓库库存编号:
497-6188-1-ND
别名:497-6188-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号