产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(21)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(21)
筛选品牌
Infineon Technologies (21)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3103PBFCT-ND
别名:*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
SPP16N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP16N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681056
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW16N50C3
仓库库存编号:
SPW16N50C3IN-ND
别名:SP000014472
SPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3X
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1-ND
别名:SP001418126
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB16N50C3
仓库库存编号:
SPB16N50C3INCT-ND
别名:SPB16N50C3INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA16N50C3
仓库库存编号:
SPA16N50C3IN-ND
别名:SP000216351
SPA16N50C3IN
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA15N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N65C3XKSA1-ND
别名:SP000293730
SPA15N65C3
SPA15N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI15N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681002
SPI15N65C3
SPI15N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103
仓库库存编号:
IRLR3103-ND
别名:*IRLR3103
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3103
仓库库存编号:
IRLU3103-ND
别名:*IRLU3103
Q832191
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TR
仓库库存编号:
IRLR3103TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRL
仓库库存编号:
IRLR3103TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRR
仓库库存编号:
IRLR3103TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP16N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP16N50C3HKSA1-ND
别名:SPP16N50C3
SPP16N50C3IN
SPP16N50C3IN-ND
SPP16N50C3X
SPP16N50C3XK
SPP16N50C3XTIN
SPP16N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3103PBF
仓库库存编号:
IRLU3103PBF-ND
别名:*IRLU3103PBF
SP001578972
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31L
仓库库存编号:
BUZ31LIN-ND
别名:BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
BUZ31L E3044A
仓库库存编号:
BUZ31L E3044A-ND
别名:BUZ31LE3044ANT
BUZ31LE3044AT
SP000011961
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI16N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI16N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014470
SP000681004
SPI16N50C3
SPI16N50C3-ND
SPI16N50C3IN
SPI16N50C3IN-ND
SPI16N50C3X
SPI16N50C3XK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP15N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP15N65C3HKSA1-ND
别名:SP000294824
SP000681054
SPP15N65C3
SPP15N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31L H
仓库库存编号:
BUZ31L H-ND
别名:BUZ31LH
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI15N65C3HKSA1-ND
别名:SP000294825
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 25V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号