产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRRPBF
仓库库存编号：
IRF820STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620STRLPBF
仓库库存编号：
IRL620STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI820G
仓库库存编号：
IRFI820G-ND
别名：*IRFI820G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF820
仓库库存编号：
IRF820IR-ND
别名：*IRF820
IRF820IR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD120
仓库库存编号：
IRFD120-ND
别名：*IRFD120
IRFD121
IRFD122
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520
仓库库存编号：
IRF520IR-ND
别名：*IRF520
IRF520IR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820S
仓库库存编号：
IRF820S-ND
别名：*IRF820S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD420
仓库库存编号：
IRFD420-ND
别名：*IRFD420
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120
仓库库存编号：
IRFR120IR-ND
别名：*IRFR120
IRFR120IR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TR
仓库库存编号：
IRFR120TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRL
仓库库存编号：
IRFR120TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420
仓库库存编号：
IRFR420-ND
别名：*IRFR420
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420TR
仓库库存编号：
IRFR420TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU120
仓库库存编号：
IRFU120IR-ND
别名：*IRFU120
IRFU120IR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU420
仓库库存编号：
IRFU420-ND
别名：*IRFU420
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL620
仓库库存编号：
IRL620-ND
别名：*IRL620
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620S
仓库库存编号：
IRL620S-ND
别名：*IRL620S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI620G
仓库库存编号：
IRLI620G-ND
别名：*IRLI620G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520S
仓库库存编号：
IRF520S-ND
别名：*IRF520S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520STRL
仓库库存编号：
IRF520STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520STRR
仓库库存编号：
IRF520STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF820L
仓库库存编号：
IRF820L-ND
别名：*IRF820L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRL
仓库库存编号：
IRF820STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRR
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IRF820STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI520G
仓库库存编号：
IRFI520G-ND
别名：*IRFI520G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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