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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRR
  仓库库存编号：IRFR120TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRL
  仓库库存编号：IRFR420TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRR
  仓库库存编号：IRFR420TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL620STRL
  仓库库存编号：IRL620STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL620STRR
  仓库库存编号：IRL620STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI620GPBF
  仓库库存编号：IRLI620GPBF-ND
  别名：*IRLI620GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.4A（Ta），10.9A（Tc） 25W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD107AN06LA0
  仓库库存编号：FDD107AN06LA0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A060CG
  仓库库存编号：GP2M002A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A060HG
  仓库库存编号：GP2M002A060HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A060PG
  仓库库存编号：GP2M002A060PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M002A060FG
  仓库库存编号：1560-1193-5-ND
  别名：1560-1193-1
  1560-1193-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.9A（Tc） 57.7W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU11NQ10T,127
  仓库库存编号：PHU11NQ10T,127-ND
  别名：934056349127
  PHU11NQ10T
  PHU11NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 7.5A（Tc） 27.7W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX8NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX8NQ11T,127-ND
  别名：934058496127
  PHX8NQ11T
  PHX8NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V,
• 无铅
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