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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7SAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 761pF @ 400V,
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• Infineon Technologies
  LOW POWER_NEW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 761pF @ 400V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R280P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658160
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 761pF @ 400V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R280P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R280P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658180
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 761pF @ 400V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001658302
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 761pF @ 400V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001647026
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 761pF @ 400V,
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