产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6290pF @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 50A(Ta) 90W(Tc) DPAK+
型号:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ50S06M3L(T6L1NQ
TJ50S06M3LT6L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6290pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 31A(Ta),150A(Tc) 1.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6609
仓库库存编号:
IRF6609CT-ND
别名:*IRF6609
IRF6609CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6290pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 31A(Ta),150A(Tc) 1.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6609TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6609TR1PBFCT-ND
别名:IRF6609TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6290pF @ 10V,
无铅
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