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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N08-16-E3
  仓库库存编号：SUD40N08-16-E3CT-ND
  别名：SUD40N08-16-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540NPBF
  仓库库存编号：IRF540NPBF-ND
  别名：*IRF540NPBF
  64-0092PBF
  64-0092PBF-ND
  SP001561906
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540NLPBF
  仓库库存编号：IRF540NLPBF-ND
  别名：*IRF540NLPBF
  SP001571292
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3411TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3411TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3411TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB23N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB23N20DPBF-ND
  别名：*IRFB23N20DPBF
  SP001564048
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF540NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS23N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS23N20DTRLPCT-ND
  别名：IRFS23N20DTRLPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS23N20D
  仓库库存编号：IRFS23N20D-ND
  别名：*IRFS23N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB23N20D
  仓库库存编号：IRFB23N20D-ND
  别名：*IRFB23N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 130W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540NL
  仓库库存编号：IRF540NL-ND
  别名：*IRF540NL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL23N20D
  仓库库存编号：IRFSL23N20D-ND
  别名：*IRFSL23N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL23N20D102P
  仓库库存编号：IRFSL23N20D102P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V,
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