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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-15-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-15-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-15-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 48A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48P20P
  仓库库存编号：IXTH48P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N08S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N08S2L-07CT
  IPB80N08S2L-07CT-ND
  IPB80N08S2L07ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP264PBF
  仓库库存编号：IRFP264PBF-ND
  别名：*IRFP264PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT48P20P
  仓库库存编号：IXTT48P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 330W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA70N15
  仓库库存编号：FQA70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR48P20P
  仓库库存编号：IXTR48P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N08S2L07AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N08S2L07AKSA1-ND
  别名：IPP80N08S2L-07
  IPP80N08S2L-07-ND
  IPP80N08S2L07
  SP000219050
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 163A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 117W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5C434NT4G
  仓库库存编号：NVD5C434NT4GOSCT-ND
  别名：NVD5C434NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ470P2
  仓库库存编号：IXTQ470P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N06P
  仓库库存编号：IXTQ200N06P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N15
  仓库库存编号：IXTH75N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N120P
  仓库库存编号：IXFH12N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT74N20
  仓库库存编号：IXFT74N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 62A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 62A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK62N25
  仓库库存编号：IXTK62N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH74N20
  仓库库存编号：IXFH74N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX73N30Q
  仓库库存编号：IXFX73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 73A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK73N30Q
  仓库库存编号：IXFK73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 73A（Tc） 481W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN73N30Q
  仓库库存编号：IXFN73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N08S2L07AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08S2L07AKSA1-ND
  别名：IPP100N08S2L-07
  IPP100N08S2L-07-ND
  SP000219052
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N08S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N08S2L-07
  IPB100N08S2L-07-ND
  SP000219053
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP264
  仓库库存编号：IRFP264-ND
  别名：*IRFP264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 44A（Tc） 130W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF70N15
  仓库库存编号：FQAF70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N120P
  仓库库存编号：IXFV12N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N120PS
  仓库库存编号：IXFV12N120PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V,
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