产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 47A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB47P06TM_AM002
仓库库存编号：
FQB47P06TM_AM002CT-ND
别名：FQB47P06TM_AM002CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP47P06
仓库库存编号：
FQP47P06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF47P06
仓库库存编号：
FQPF47P06FS-ND
别名：FQPF47P06-ND
FQPF47P06FS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP460LCPBF
仓库库存编号：
IRFP460LCPBF-ND
别名：*IRFP460LCPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C628NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N50P
仓库库存编号：
IXFH26N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
NDP7060
仓库库存编号：
NDP7060-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP23N50LPBF
仓库库存编号：
IRFP23N50LPBF-ND
别名：*IRFP23N50LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9609-40B,118
仓库库存编号：
1727-4712-1-ND
别名：1727-4712-1
568-5862-1
568-5862-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA19N60
仓库库存编号：
FQA19N60FS-ND
别名：FQA19N60-ND
FQA19N60FS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-263AA
型号：
IXTA80N075L2
仓库库存编号：
IXTA80N075L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3705NPBF
仓库库存编号：
IRL3705NPBF-ND
别名：*IRL3705NPBF
SP001578520
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI3705NPBF
仓库库存编号：
IRLI3705NPBF-ND
别名：*IRLI3705NPBF
SP001576840
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N50P
仓库库存编号：
IXTQ26N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF47P06YDTU
仓库库存编号：
FQPF47P06YDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.35W（Ta），50W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RSJ400N10TL
仓库库存编号：
RSJ400N10TLCT-ND
别名：RSJ400N10TLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP80N075L2
仓库库存编号：
IXTP80N075L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3705NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL3705NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL3705NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL210N4F7AG
仓库库存编号：
STL210N4F7AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V,
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