产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7W(Ta), 110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C628NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C628NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),150A(Tc) 3.7W(Ta), 110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C628NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C628NLWFAFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ22N60P
仓库库存编号:
IXTQ22N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N60P
仓库库存编号:
IXFH22N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT26N50P
仓库库存编号:
IXTT26N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
IXTH80N075L2
仓库库存编号:
IXTH80N075L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 70A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 70A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT70N15
仓库库存编号:
IXFT70N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH58N20Q
仓库库存编号:
IXFH58N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 67A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR70N15
仓库库存编号:
IXFR70N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT58N20Q
仓库库存编号:
IXFT58N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR58N20
仓库库存编号:
IXFR58N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH17N80Q
仓库库存编号:
IXFH17N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460LC
仓库库存编号:
IRFP460LC-ND
别名:*IRFP460LC
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 12A 130W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM22-06PF
仓库库存编号:
FMM22-06PF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名:SP001161210
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 45A(Tc) 417W(Tc) TO-247-3
型号:
STW45NM50FD
仓库库存编号:
497-2718-5-ND
别名:497-2718-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
STP45NE06
仓库库存编号:
497-2762-5-ND
别名:497-2762-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 157W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9509-40B,127
仓库库存编号:
568-5727-5-ND
别名:568-5727
568-5727-5
568-5727-ND
934057696127
BUK9509-40B
BUK9509-40B,127-ND
BUK9509-40B-ND
BUK950940B127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 75A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
NDP7050
仓库库存编号:
NDP7050-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB7060
仓库库存编号:
NDB7060TR-ND
别名:NDB7060TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP23N50L
仓库库存编号:
IRFP23N50L-ND
别名:*IRFP23N50L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 47A(Tc) 3.75W(Ta),160W(Tc) I2PAK
型号:
FQI47P06TU
仓库库存编号:
FQI47P06TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
详细描述:通孔 P 沟道 60V 38A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF47P06
仓库库存编号:
FQAF47P06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
详细描述:通孔 P 沟道 60V 55A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA47P06
仓库库存编号:
FQA47P06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11.2A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF19N60
仓库库存编号:
FQAF19N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V,
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