产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名:SP001028776
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028778
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-02
IPI120N06S4-02-ND
SP000415622
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Ta) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
型号:
NP109N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-3
型号:
NP110N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N04PUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-7
型号:
NP180N04TUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP180N04TUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-02
IPP120N06S4-02-ND
SP000415700
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028774
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15750pF @ 25V,
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