产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LAGXK
仓库库存编号:
IPU06N03LAGXK-ND
别名:IPU06N03LA
IPU06N03LA G
IPU06N03LAGIN
IPU06N03LAGIN-ND
IPU06N03LAGX
IPU06N03LAGXTIN
IPU06N03LAGXTIN-ND
IPU06N03LAIN
IPU06N03LAIN-ND
SP000017594
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 83W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU07N03LA
仓库库存编号:
IPU07N03LAIN-ND
别名:IPU07N03LAIN
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06N03LA
仓库库存编号:
IPP06N03LAIN-ND
别名:IPP06N03LAIN
IPP06N03LAX
IPP06N03LAXTIN
IPP06N03LAXTIN-ND
SP000014025
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA
仓库库存编号:
IPB06N03LAINCT-ND
别名:IPB06N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LA G
仓库库存编号:
IPD06N03LAGINCT-ND
别名:IPD06N03LAGINCT
IPD06N03LAGXTINCT
IPD06N03LAGXTINCT-ND
IPD06N03LAINCT
IPD06N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD5N03LAG
仓库库存编号:
IPD5N03LAGINCT-ND
别名:IPD5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LAT
仓库库存编号:
IPB06N03LAXTINCT-ND
别名:IPB06N03LAXTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA G
仓库库存编号:
IPB06N03LA G-ND
别名:IPB06N03LAGXT
SP000068850
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH5N03LA G
仓库库存编号:
IPDH5N03LA G-ND
别名:IPDH5N03LAGXT
SP000064379
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF06N03LA G
仓库库存编号:
IPF06N03LA G-ND
别名:IPF06N03LAGXT
SP000017607
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI06N03LA
仓库库存编号:
IPI06N03LA-ND
别名:IPI06N03LAX
SP000014026
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS06N03LA G
仓库库存编号:
IPS06N03LA G-ND
别名:IPS06N03LAGX
SP000015130
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS06N03LZ G
仓库库存编号:
IPS06N03LZ G-ND
别名:IPS06N03LZGX
SP000016328
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
无铅
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MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH5N03LA G
仓库库存编号:
IPSH5N03LA G-ND
别名:IPSH5N03LAGX
SP000064378
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2653pF @ 15V,
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