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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1700V 2.6A
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW3N170
  仓库库存编号：497-16308-5-ND
  别名：497-16308-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH6400ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH6400ENHL1QCT-ND
  别名：TPH6400ENH,L1QCT
  TPH6400ENH,L1QCT-ND
  TPH6400ENHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1110FNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH1110FNHL1QCT-ND
  别名：TPH1110FNH,L1QCT
  TPH1110FNH,L1QCT-ND
  TPH1110FNHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R310CFD
  仓库库存编号：IPB65R310CFDCT-ND
  别名：IPB65R310CFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW15N80K5
  仓库库存编号：497-13447-ND
  别名：497-13447
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R800C3
  仓库库存编号：IPP90R800C3-ND
  别名：IPP90R800C3XKSA1
  SP000413748
  SP000683102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R299CP
  IPP60R299CPAKSA1
  IPP60R299CPIN
  IPP60R299CPIN-ND
  IPP60R299CPX
  IPP60R299CPXK
  IPP60R299CPXTIN
  IPP60R299CPXTIN-ND
  SP000084280
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU15N80K5
  仓库库存编号：497-16108-5-ND
  别名：497-16108-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 160mW TO-247-3
  
  型号：STW3N170
  仓库库存编号：497-16332-5-ND
  别名：497-16332-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Tc） 96W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R299CP
  仓库库存编号：IPL60R299CPCT-ND
  别名：IPL60R299CPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R299CP
  仓库库存编号：IPW60R299CP-ND
  别名：IPW60R299CPFKSA1
  IPW60R299CPX
  IPW60R299CPXK
  SP000103251
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15N80K5
  仓库库存编号：497-13423-1-ND
  别名：497-13423-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：N 沟道 8A（Ta） 33W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R650CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R650CEXKSA2-ND
  别名：SP001313394
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA08N80C3
  仓库库存编号：SPA08N80C3IN-ND
  别名：SP000216310
  SPA08N80C3IN
  SPA08N80C3X
  SPA08N80C3XK
  SPA08N80C3XKSA1
  SPA08N80C3XTIN
  SPA08N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08N80C3
  仓库库存编号：SPP08N80C3IN-ND
  别名：SP000013704
  SP000683156
  SPP08N80C3IN
  SPP08N80C3X
  SPP08N80C3XK
  SPP08N80C3XKSA1
  SPP08N80C3XTIN
  SPP08N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R310CFD
  仓库库存编号：IPP65R310CFD-ND
  别名：IPP65R310CFDXKSA1
  SP000745028
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R800C3
  仓库库存编号：IPW90R800C3-ND
  别名：IPW90R800C3FKSA1
  SP000413758
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N80C3
  仓库库存编号：SPI08N80C3IN-ND
  别名：SP000014819
  SP000683148
  SPI08N80C3-ND
  SPI08N80C3IN
  SPI08N80C3X
  SPI08N80C3XK
  SPI08N80C3XKSA1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP15N80K5
  仓库库存编号：497-13441-ND
  别名：497-13441
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R800C3
  仓库库存编号：IPA90R800C3-ND
  别名：IPA90R800C3XKSA1
  SP000413718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15N80K5
  仓库库存编号：497-13437-ND
  别名：497-13437
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 102W（Tc） TO-220-3
  
  型号：TK13E25D,S1X(S
  仓库库存编号：TK13E25DS1X(S-ND
  别名：TK13E25DS1X(S
  TK13E25DS1XS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP13N60C5
  仓库库存编号：IXKP13N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP13N60C5M
  仓库库存编号：IXKP13N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.9A（Tc） 104.2W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R340CFDAUMA1
  仓库库存编号：IPL65R340CFDAUMA1-ND
  别名：SP000949258
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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