产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21620pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3-03
仓库库存编号:
IPB100N06S3-03-ND
别名:IPB100N06S303XT
SP000087982
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N06S3-03
仓库库存编号:
IPI100N06S3-03-ND
别名:IPI100N06S303X
IPI100N06S303XK
SP000087992
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S3-03
仓库库存编号:
IPP100N06S3-03-ND
别名:IPP100N06S303X
IPP100N06S303XK
SP000087980
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21620pF @ 25V,
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