产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA
仓库库存编号:
IPB11N03LA-ND
别名:IPB11N03LAT
SP000014987
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA G
仓库库存编号:
IPB11N03LA G-ND
别名:IPB11N03LAGXT
SP000103306
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA
仓库库存编号:
IPD10N03LA-ND
别名:IPD10N03LAT
SP000014983
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA G
仓库库存编号:
IPD10N03LA G-ND
别名:IPD10N03LAGXT
SP000017602
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA
仓库库存编号:
IPF10N03LA-ND
别名:IPF10N03LAT
SP000014985
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA G
仓库库存编号:
IPF10N03LA G-ND
别名:IPF10N03LAGXT
SP000017609
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI11N03LA
仓库库存编号:
IPI11N03LA-ND
别名:IPI11N03LAX
SP000014988
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP11N03LA
仓库库存编号:
IPP11N03LA-ND
别名:IPP11N03LAX
SP000014986
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS10N03LA G
仓库库存编号:
IPS10N03LA G-ND
别名:IPS10N03LAGX
SP000015132
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU10N03LA G
仓库库存编号:
IPU10N03LA G-ND
别名:IPU10N03LAGX
SP000017597
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1358pF @ 15V,
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