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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB100N06S2L-05-ND
  别名：SP000013714
  SPB100N06S2L05T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7530pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-05-ND
  别名：SP000016352
  SPB80N06S2L05T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7530pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPI80N06S2L-05-ND
  别名：SP000016360
  SPI80N06S2L05
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7530pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N06S2L-05
  仓库库存编号：SPP100N06S2L-05-ND
  别名：SP000013721
  SPP100N06S2L05
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7530pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-05-ND
  别名：SP000012474
  SPP80N06S2L05
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7530pF @ 25V,
• 含铅
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