产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 540mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2224N3-G
仓库库存编号:
VN2224N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFUC20PBF
仓库库存编号:
IRFUC20PBF-ND
别名:*IRFUC20PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 320mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFDC20PBF
仓库库存编号:
IRFDC20PBF-ND
别名:*IRFDC20PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU320PBF
仓库库存编号:
IRFU320PBF-ND
别名:*IRFU320PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06LTM
仓库库存编号:
FQD13N06LTMCT-ND
别名:FQD13N06LTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 3W Surface Mount SM8
型号:
ZDM4306NTA
仓库库存编号:
ZDM4306NCT-ND
别名:ZDM4306N
ZDM4306NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 3W Surface Mount SM8
型号:
ZDM4306NTA
仓库库存编号:
981-ZDM4306NTA-CHP
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Ta),15A(Tc) 2.3W(Ta),35W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC15N06
仓库库存编号:
FDMC15N06CT-ND
别名:FDMC15N06CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.56A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2P40TM
仓库库存编号:
FQD2P40TMCT-ND
别名:FQD2P40TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z24NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 5A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 1.56W(Ta),30W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ050N25TL
仓库库存编号:
RCJ050N25TLCT-ND
别名:RCJ050N25TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 2.23W(Ta),30W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX051N25
仓库库存编号:
RCX051N25-ND
别名:RCX051N25CT
RCX051N25CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20SPBF
仓库库存编号:
IRFBC20SPBF-ND
别名:*IRFBC20SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD041N25TL
仓库库存编号:
RCD041N25TLCT-ND
别名:RCD041N25TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N70
仓库库存编号:
FQPF2N70-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4306GVTA
仓库库存编号:
ZVN4306GVCT-ND
别名:ZVN4306GV
ZVN4306GVCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 2A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP2P40_F080
仓库库存编号:
FQP2P40_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 3W(Ta),40W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9620STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9620STRLPBFCT-ND
别名:IRF9620STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20TRPBF
仓库库存编号:
IRFRC20PBFCT-ND
别名:*IRFRC20TRPBF
IRFRC20PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3710CTR
仓库库存编号:
CPC3710CTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR320TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR320TRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC20GPBF-ND
别名:*IRFIBC20GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC20STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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