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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS5PF30L
  仓库库存编号：497-3231-1-ND
  别名：497-3231-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD13AN06A0
  仓库库存编号：FDD13AN06A0CT-ND
  别名：FDD13AN06A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW7NK90Z
  仓库库存编号：497-7624-5-ND
  别名：497-7624-5
  STW7NK90Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N120TRL
  仓库库存编号：IXTA3N120CT-ND
  别名：IXTA3N120CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 90W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD16N06LESM9A
  仓库库存编号：RFD16N06LESM9ACT-ND
  别名：RFD16N06LESM9ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N120
  仓库库存编号：IXTP3N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD13AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDD13AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDD13AN06A0_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6NK90ZT4
  仓库库存编号：497-6555-1-ND
  别名：497-6555-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NK90Z
  仓库库存编号：497-3199-5-ND
  别名：497-3199-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A90E,S4X
  仓库库存编号：TK7A90ES4X-ND
  别名：TK7A90E,S4X(S
  TK7A90ES4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A80E,S4X
  仓库库存编号：TK6A80ES4X-ND
  别名：TK6A80E,S4X(S
  TK6A80ES4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A65D(Q)
  TK8A65D(STA4QM)
  TK8A65DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 200W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK7J90E,S1E
  仓库库存编号：TK7J90ES1E-ND
  别名：TK7J90E,S1E(S
  TK7J90ES1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP6NK90ZFP
  仓库库存编号：497-12617-5-ND
  别名：497-12617-5
  STP6NK90ZFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS4DPF20L
  仓库库存编号：497-8042-1-ND
  别名：497-8042-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta），62A（Tc） 115W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB13AN06A0
  仓库库存编号：FDB13AN06A0CT-ND
  别名：FDB13AN06A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS4DPF30L
  仓库库存编号：497-3228-1-ND
  别名：497-3228-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK10A60DSTA4QM-ND
  别名：TK10A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK12A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK12A50D(STA4QM)
  TK12A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK13A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK13A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK13A45D(STA4QM)
  TK13A45DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A53D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK12A53D(STA4QM)-ND
  别名：TK12A53D(STA4QM)
  TK12A53DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK11A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK11A55D(STA4QM)
  TK11A55DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N110
  仓库库存编号：IXTA3N110-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N110
  仓库库存编号：IXTP3N110-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS4DPFS30L
  仓库库存编号：497-4397-1-ND
  别名：497-4397-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V,
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