产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
HUFA76407DK8T
仓库库存编号:
HUFA76407DK8T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.5A(Ta) 1.8W(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PHT6N06LT,135
仓库库存编号:
568-7367-1-ND
别名:568-7367-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MVDF1N05ER2G
仓库库存编号:
MVDF1N05ER2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MMDF1N05ER2G
仓库库存编号:
MMDF1N05ER2GOSCT-ND
别名:MMDF1N05ER2GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 625mW(Ta) SOT-26
型号:
ZXM62P03E6TC
仓库库存编号:
ZXM62P03E6TCDI-ND
别名:ZXM62P03E6TCDI
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98150-55,135
仓库库存编号:
568-12235-1-ND
别名:568-11891-1
568-11891-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TR
仓库库存编号:
IRFL4310CT-ND
别名:*IRFL4310TR
IRFL4310CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI520N
仓库库存编号:
IRFI520N-ND
别名:*IRFI520N
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NS
仓库库存编号:
IRF520NS-ND
别名:*IRF520NS
SP001559622
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NL
仓库库存编号:
IRF520NL-ND
别名:*IRF520NL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRL
仓库库存编号:
IRF520NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRR
仓库库存编号:
IRF520NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7465
仓库库存编号:
IRF7465-ND
别名:*IRF7465
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NLPBF
仓库库存编号:
IRF520NLPBF-ND
别名:*IRF520NLPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10.3A(Tc) 33W(Tc) D2PAK
型号:
PHB11N06LT,118
仓库库存编号:
PHB11N06LT,118-ND
别名:934055182118
PHB11N06LT /T3
PHB11N06LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP615S2L
仓库库存编号:
BSP615S2L-ND
别名:BSP615S2LT
SP000013181
SP000440622
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCTRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
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