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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM60N
  仓库库存编号：497-9066-5-ND
  别名：497-9066-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB26NM60N
  仓库库存编号：497-10985-1-ND
  别名：497-10985-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21NM60ND
  仓库库存编号：497-8471-1-ND
  别名：497-8471-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF21NM60ND
  仓库库存编号：497-11885-5-ND
  别名：497-11885-5
  STF21NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF26NM60N
  仓库库存编号：497-11886-5-ND
  别名：497-11886-5
  STF26NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP180N10N3 G
  IPP180N10N3 G-ND
  IPP180N10N3G
  SP000683090
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW21NM60ND
  仓库库存编号：497-8453-5-ND
  别名：497-8453-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI26NM60N
  仓库库存编号：497-12261-ND
  别名：497-12261
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI26NM60N
  仓库库存编号：497-12860-5-ND
  别名：497-12860-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1TR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
  IPD180N10N3GATMA1TR
  SP000900132
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 52A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 72W（Tc） TO-220
  
  型号：TK22E10N1,S1X
  仓库库存编号：TK22E10N1S1X-ND
  别名：TK22E10N1,S1X(S
  TK22E10N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK22A10N1,S4X
  仓库库存编号：TK22A10N1S4X-ND
  别名：TK22A10N1,S4X(S
  TK22A10N1,S4X-ND
  TK22A10N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 10A 2.2W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS8090
  仓库库存编号：FDMS8090CT-ND
  别名：FDMS8090CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP26NM60N
  仓库库存编号：497-9064-5-ND
  别名：497-9064-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP21NM60ND
  仓库库存编号：497-8444-5-ND
  别名：497-8444-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF22NM60ND
  仓库库存编号：STF22NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta），19A（Tc） 125mW（Ta），3W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL26NM60N
  仓库库存编号：497-11207-1-ND
  别名：497-11207-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI180N10N3 G
  IPI180N10N3 G-ND
  IPI180N10N3G
  SP000683076
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
  IPA180N10N3 G
  IPA180N10N3 G-ND
  IPA180N10N3G
  SP000480108
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI21NM60ND
  仓库库存编号：STI21NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF26NM60N-H
  仓库库存编号：STF26NM60N-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3 GCT
  IPD180N10N3 GCT-ND
  IPD180N10N3GBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V,
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