产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 310W(Tc) D2PAK
型号:
STB200NF04T4
仓库库存编号:
497-3513-1-ND
别名:497-3513-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
STP200NF04
仓库库存编号:
497-3524-5-ND
别名:497-3524-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP57N20-33-E3
仓库库存编号:
SUP57N20-33-E3-ND
别名:SUP57N2033E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPB80N03S4L-03CT
IPB80N03S4L-03CT-ND
IPB80N03S4L03ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP100NF04
仓库库存编号:
497-7497-5-ND
别名:497-7497-5
STP100NF04-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 254W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7606-55B,118
仓库库存编号:
1727-5247-1-ND
别名:1727-5247-1
568-6571-1
568-6571-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB100NF04T4
仓库库存编号:
497-5951-1-ND
别名:497-5951-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM65N20-30-E3
仓库库存编号:
SUM65N20-30-E3CT-ND
别名:SUM65N20-30-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA62EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA62EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT60N25Q
仓库库存编号:
IXFT60N25Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N25Q
仓库库存编号:
IXFH60N25Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK60N25Q
仓库库存编号:
IXFK60N25Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK26N60Q
仓库库存编号:
IXFK26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N60Q
仓库库存编号:
IXFT26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N60Q
仓库库存编号:
IXFR26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 800V 20A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK20N80Q
仓库库存编号:
IXFK20N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N60Q
仓库库存编号:
IXFH26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 800V 20A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N80Q
仓库库存编号:
IXFH20N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX26N60Q
仓库库存编号:
IXFX26N60Q-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 20A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N80Q
仓库库存编号:
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10DDAM19T3G
仓库库存编号:
APTM10DDAM19T3G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10DSKM19T3G
仓库库存编号:
APTM10DSKM19T3G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10HM19FT3G
仓库库存编号:
APTM10HM19FT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM10TAM19FPG
仓库库存编号:
APTM10TAM19FPG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V,
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