产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB12NK80ZT4
仓库库存编号:
497-4320-1-ND
别名:497-4320-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NK80Z
仓库库存编号:
497-3256-5-ND
别名:497-3256-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12NK80Z
仓库库存编号:
STF12NK80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NK80Z
仓库库存编号:
497-6737-5-ND
别名:497-6737-5
STP12NK80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L09ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L09ATMA2-ND
别名:SP001061720
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L09AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L09AKSA2-ND
别名:SP001061718
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L09ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-09
IPB80N06S2L-09-ND
SP000218743
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L09AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L09AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-09
IPP80N06S2L-09-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF @ 25V,
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