产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(139)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(138)
筛选品牌
Infineon Technologies (26)
IXYS (1)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (12)
ON Semiconductor (8)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (6)
STMicroelectronics (17)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (65)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4N150
仓库库存编号:
497-5091-5-ND
别名:497-5091-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW4N150
仓库库存编号:
497-5092-5-ND
别名:497-5092-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840PBF
仓库库存编号:
IRF840PBF-ND
别名:*IRF840PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640PBF
仓库库存编号:
IRF640PBF-ND
别名:*IRF640PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240PBF
仓库库存编号:
IRFP240PBF-ND
别名:*IRFP240PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9362TRPBF
仓库库存编号:
IRF9362TRPBFCT-ND
别名:IRF9362TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRPBF
仓库库存编号:
IRFR1205PBFCT-ND
别名:*IRFR1205TRPBF
IRFR1205PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9540NPBF
仓库库存编号:
IRF9540NPBF-ND
别名:*IRF9540NPBF
64-0103PBF
64-0103PBF-ND
SP001560174
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL40N75LF3
仓库库存编号:
497-13535-1-ND
别名:497-13535-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644PBF
仓库库存编号:
IRF644PBF-ND
别名:*IRF644PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30PBF
仓库库存编号:
IRFBE30PBF-ND
别名:*IRFBE30PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640SPBF
仓库库存编号:
IRF640SPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644SPBF
仓库库存编号:
IRF644SPBF-ND
别名:*IRF644SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30SPBF
仓库库存编号:
IRFBE30SPBF-ND
别名:*IRFBE30SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW4N150
仓库库存编号:
497-10004-5-ND
别名:497-10004-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 31A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ44NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ44NPBF-ND
别名:*IRFIZ44NPBF
64-7000PBF
64-7000PBF-ND
SP001572634
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI644GPBF
仓库库存编号:
IRFI644GPBF-ND
别名:*IRFI644GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205PBF
仓库库存编号:
IRFU1205PBF-ND
别名:*IRFU1205PBF
SP001578428
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS5N15F3
仓库库存编号:
497-8903-1-ND
别名:497-8903-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL25N15F3
仓库库存编号:
497-8785-1-ND
别名:497-8785-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC40GPBF-ND
别名:*IRFIBC40GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30PBF
仓库库存编号:
IRFPE30PBF-ND
别名:*IRFPE30PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 44W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C668NLT4G
仓库库存编号:
NVD5C668NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5C668NLT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF640STRLPBFCT-ND
别名:IRF640STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC40STRLPBFCT-ND
别名:IRFBC40STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号