产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S55R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S55R4ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP55NF06
仓库库存编号:
497-2777-5-ND
别名:497-2777-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI640GPBF
仓库库存编号:
IRFI640GPBF-ND
别名:*IRFI640GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE30GPBF-ND
别名:*IRFIBE30GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40PBF
仓库库存编号:
IRFBC40PBF-ND
别名:*IRFBC40PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3315PBF
仓库库存编号:
IRF3315PBF-ND
别名:*IRF3315PBF
SP001553934
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP9140NPBF
仓库库存编号:
IRFP9140NPBF-ND
别名:*IRFP9140NPBF
SP001556802
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A50E,S4X
仓库库存编号:
TK12A50ES4X-ND
别名:TK12A50E,S4X(S
TK12A50E,S5X
TK12A50E,S5X(M
TK12A50ES4X
TK12A50ES4X(S
TK12A50ES4X(S-ND
TK12A50ES5X
TK12A50ES5X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI840GPBF
仓库库存编号:
IRFI840GPBF-ND
别名:*IRFI840GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP440PBF
仓库库存编号:
IRFP440PBF-ND
别名:*IRFP440PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 145W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75332P3
仓库库存编号:
HUF75332P3FS-ND
别名:HUF75332P3-ND
HUF75332P3FS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC40PBF
仓库库存编号:
IRFPC40PBF-ND
别名:*IRFPC40PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6012ANX
仓库库存编号:
R6012ANX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6012FNX
仓库库存编号:
R6012FNX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRRPBF
仓库库存编号:
IRF640STRRPBFCT-ND
别名:IRF640STRRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30LPBF
仓库库存编号:
IRFBE30LPBF-ND
别名:*IRFBE30LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
STD35NF06T4
仓库库存编号:
497-3159-1-ND
别名:497-3159-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB55NF06T4
仓库库存编号:
497-6553-1-ND
别名:497-6553-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840STRLPBF
仓库库存编号:
IRF840STRLPBFCT-ND
别名:IRF840STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 50W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
R6012FNJTL
仓库库存编号:
R6012FNJTLCT-ND
别名:R6012FNJTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60E,S4X
仓库库存编号:
TK10A60ES4X-ND
别名:TK10A60E,S4X(S
TK10A60E,S5X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X
TK10A60ES4X(S
TK10A60ES4X(S-ND
TK10A60ES5X
TK10A60ES5X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP55NF06FP
仓库库存编号:
497-3193-5-ND
别名:497-3193-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5013ANXFU6
仓库库存编号:
R5013ANXFU6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) D2PAK
型号:
STB20NM60D
仓库库存编号:
497-6193-1-ND
别名:497-6193-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NM60FD
仓库库存编号:
497-5395-5-ND
别名:497-5395-5
STP20NM60FD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V,
无铅
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