产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.6A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI840G
仓库库存编号：
IRFI840G-ND
别名：*IRFI840G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 200V 20A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP240
仓库库存编号：
IRFP240-ND
别名：*IRFP240
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP440
仓库库存编号：
IRFP440-ND
别名：*IRFP440
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE30
仓库库存编号：
IRFPE30-ND
别名：*IRFPE30
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE30
仓库库存编号：
IRFBE30-ND
别名：*IRFBE30
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644S
仓库库存编号：
IRF644S-ND
别名：*IRF644S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840S
仓库库存编号：
IRF840S-ND
别名：*IRF840S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRF640S
仓库库存编号：
IRF640S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF644
仓库库存编号：
IRF644-ND
别名：*IRF644
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644STRL
仓库库存编号：
IRF644STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF840L
仓库库存编号：
IRF840L-ND
别名：*IRF840L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40
仓库库存编号：
IRFBC40-ND
别名：*IRFBC40
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40S
仓库库存编号：
IRFBC40S-ND
别名：*IRFBC40S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI640G
仓库库存编号：
IRFI640G-ND
别名：*IRFI640G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 7.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI644G
仓库库存编号：
IRFI644G-ND
别名：*IRFI644G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBE30G
仓库库存编号：
IRFIBE30G-ND
别名：*IRFIBE30G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC40
仓库库存编号：
IRFPC40-ND
别名：*IRFPC40
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40L
仓库库存编号：
IRFBC40L-ND
别名：*IRFBC40L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） I2PAK
型号：
IRF640L
仓库库存编号：
IRF640L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRF640STRL
仓库库存编号：
IRF640STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRF640STRR
仓库库存编号：
IRF640STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） I2PAK
型号：
IRF644L
仓库库存编号：
IRF644L-ND
别名：*IRF644L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644STRR
仓库库存编号：
IRF644STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840STRL
仓库库存编号：
IRF840STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840STRR
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