产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRL
仓库库存编号：
IRFBC40STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRR
仓库库存编号：
IRFBC40STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBE30L
仓库库存编号：
IRFBE30L-ND
别名：*IRFBE30L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30S
仓库库存编号：
IRFBE30S-ND
别名：*IRFBE30S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30STRL
仓库库存编号：
IRFBE30STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30STRR
仓库库存编号：
IRFBE30STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220-5
型号：
IRCZ34PBF
仓库库存编号：
IRCZ34PBF-ND
别名：*IRCZ34PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
型号：
IRC840PBF
仓库库存编号：
IRC840PBF-ND
别名：*IRC840PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220-5
型号：
IRC540PBF
仓库库存编号：
IRC540PBF-ND
别名：*IRC540PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
型号：
IRC640PBF
仓库库存编号：
IRC640PBF-ND
别名：*IRC640PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF640LPBF
仓库库存编号：
IRF640LPBF-ND
别名：*IRF640LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3682
仓库库存编号：
FDS3682-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75333P3
仓库库存编号：
HUF75333P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75332S3ST
仓库库存编号：
HUF75332S3ST-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-262AA
详细描述：通孔 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） TO-262AA
型号：
HUF75333S3
仓库库存编号：
HUF75333S3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75333S3ST
仓库库存编号：
HUF75333S3ST-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75332S3S
仓库库存编号：
HUFA75332S3S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 66A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA75333P3
仓库库存编号：
HUFA75333P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75332S3ST
仓库库存编号：
HUFA75332S3ST-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75333S3S
仓库库存编号：
HUFA75333S3S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 66A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75333S3ST
仓库库存编号：
HUFA75333S3ST-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） TO-247
型号：
HUFA75332G3
仓库库存编号：
HUFA75332G3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1205
仓库库存编号：
IRFR1205-ND
别名：*IRFR1205
SP001578028
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 27A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3315
仓库库存编号：
IRF3315-ND
别名：*IRF3315
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315S
仓库库存编号：
IRF3315S-ND
别名：*IRF3315S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V,
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