产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(9)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(9)
筛选品牌
IXYS (1)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
STMicroelectronics (6)
重新选择
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-220-3(2)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型(2)
TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)(1)
SOT-227-4,miniBLOC(1)
8-PowerSFN(2)
TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)变型(1)
重新选择
STMicroelectronics(6)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
IXYS(1)
重新选择
表面贴装(6)
通孔(2)
底座安装(1)
重新选择
-55°C ~ 150°C(TJ)(1)
-55°C ~ 175°C(TJ)(8)
重新选择
DeepGATE?,STripFET? VII(6)
PowerTrench?(1)
汽车级,AEC-Q101,PowerTrench?(1)
HiPerFET??(1)
重新选择
剪切带(CT) (6)
管件 (3)
重新选择
在售(9)
重新选择
TO-220(2)
H2PAK(3)
SOT-227B(1)
8-PSOF(2)
重新选择
MOSFET(金属氧化物)(9)
重新选择
±30V(1)
±20V(8)
重新选择
180nC @ 10V(6)
250nC @ 10V(1)
188nC @ 10V(2)
重新选择
2.7 毫欧 @ 60A,10V(2)
2.3 毫欧 @ 60A,10V(2)
60 毫欧 @ 500mA,10V(1)
2.5 毫欧 @ 60A,10V(2)
1.4 毫欧 @ 80A,10V(2)
重新选择
10V(9)
重新选择
N 沟道(9)
重新选择
180A(Tc)(6)
72A(Tc)(1)
300A(Tc)(2)
重新选择
12800pF @ 25V(9)
重新选择
-(9)
重新选择
4V @ 250μA(2)
3.8V @ 250μA(3)
4.5V @ 250μA(3)
4.5V @ 8mA(1)
重新选择
315W(Tc)(6)
890W(Tc)(1)
429W(Tj)(2)
重新选择
80V(2)
100V(6)
500V(1)
重新选择
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP310N10F7
仓库库存编号:
497-13233-5-ND
别名:497-13233-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-6
仓库库存编号:
497-14719-1-ND
别名:497-14719-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP315N10F7
仓库库存编号:
497-14717-5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86361_F085
仓库库存编号:
FDBL86361_F085CT-ND
别名:FDBL86361_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0150N80
仓库库存编号:
FDBL0150N80CT-ND
别名:FDBL0150N80CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH310N10F7-2
仓库库存编号:
497-13585-1-ND
别名:497-13585-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-2
仓库库存编号:
497-14718-1-ND
别名:497-14718
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc)
型号:
STH310N10F7-6
仓库库存编号:
497-13586-1-ND
别名:497-13586-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50Q2
仓库库存编号:
IXFN80N50Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12800pF @ 25V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号