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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW45NM60
  仓库库存编号：497-2768-5-ND
  别名：497-2768-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA80EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA80EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STD155N3LH6
  仓库库存编号：497-11308-1-ND
  别名：497-11308-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：STB150N3LH6
  仓库库存编号：497-13263-1-ND
  别名：497-13263-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 15A SC83
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 1.35W（Ta），50W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RSJ151P10TL
  仓库库存编号：RSJ151P10TLCT-ND
  别名：RSJ151P10TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L06ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND
  别名：IPB80N06S2L06ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB155N3LH6
  仓库库存编号：497-11323-1-ND
  别名：497-11323-1
  497-11323-5
  497-11323-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 9.6A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
  
  型号：IRFS450B
  仓库库存编号：IRFS450B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 280V 40A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FKP280A
  仓库库存编号：FKP280A-ND
  别名：FKP280A DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FKP300A
  仓库库存编号：FKP300A-ND
  别名：FKP300A DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
  
  型号：FKP250A
  仓库库存编号：FKP250A-ND
  别名：FKP250A DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH40N50Q
  仓库库存编号：IXFH40N50Q-ND
  别名：Q1794352
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT40N50Q
  仓库库存编号：IXFT40N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P04P4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P04P4L04ATMA1-ND
  别名：SP000840196
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P04P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P04P4L04AKSA1-ND
  别名：SP000840200
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P4L04AKSA1-ND
  别名：SP000840198
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 38A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW38NB20
  仓库库存编号：497-2658-5-ND
  别名：497-2658-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 650V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE48NM60
  仓库库存编号：497-3171-5-ND
  别名：497-3171-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：IRFP450B
  仓库库存编号：IRFP450B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-08
  仓库库存编号：SPB80N06S2-08-ND
  别名：SP000016356
  SPB80N06S208T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2-08
  仓库库存编号：SPI80N06S2-08-ND
  别名：SP000013911
  SPI80N06S208
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-08
  仓库库存编号：SPP80N06S2-08-ND
  别名：SP000012822
  SPP80N06S208
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L06ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-06
  IPB80N06S2L-06-ND
  SP000218163
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L06AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2L06AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-06
  IPP80N06S2L-06-ND
  SP000218824
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L06AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L06AKSA2-ND
  别名：SP001067882
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 25V,
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