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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH75N10
  仓库库存编号：IXFH75N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6410ANT4G
  仓库库存编号：NTB6410ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6410ANT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP054PBF
  仓库库存编号：IRFP054PBF-ND
  别名：*IRFP054PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34.6A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW35N60C3
  仓库库存编号：SPW35N60C3IN-ND
  别名：SP000014970
  SPW35N60C3-ND
  SPW35N60C3FKSA1
  SPW35N60C3IN
  SPW35N60C3X
  SPW35N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 32A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 32A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ479EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ479EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7907-55AIE,127
  仓库库存编号：1727-2025-ND
  别名：1727-2025
  568-12144-5-ND
  568-12144-ND
  934057273127
  BUK7907-55AIE
  BUK7907-55AIE,127-ND
  BUK7907-55AIE-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ330N25TL
  仓库库存编号：RCJ330N25TLCT-ND
  别名：RCJ330N25TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N10
  仓库库存编号：IXTH75N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7907-55ATE,127
  仓库库存编号：1727-7223-ND
  别名：1727-7223
  568-9740-5
  568-9740-5-ND
  934056979127
  BUK7907-55ATE
  BUK7907-55ATE,127-ND
  BUK7907-55ATE-ND
  BUK790755ATE127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N10Q
  仓库库存编号：IXFH80N10Q-ND
  别名：IXFH80N10
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP360PBF
  仓库库存编号：IRFP360PBF-ND
  别名：*IRFP360PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH67N10
  仓库库存编号：IXTH67N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 55A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ423EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ423EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 205W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH130N8F7-2
  仓库库存编号：STH130N8F7-2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7907-40ATC,127
  仓库库存编号：BUK7907-40ATC,127-ND
  别名：934057270127
  BUK7907-40ATC
  BUK7907-40ATC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7905-40ATE,127
  仓库库存编号：BUK7905-40ATE,127-ND
  别名：934057946127
  BUK7905-40ATE
  BUK7905-40ATE-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP6410ANG
  仓库库存编号：NTP6410ANG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
  
  型号：NVB6410ANT4G
  仓库库存编号：NVB6410ANT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 76A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP76N25T
  仓库库存编号：IXTP76N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP86N20T
  仓库库存编号：IXTP86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 76A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA76N25T
  仓库库存编号：IXTA76N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA86N20T
  仓库库存编号：IXTA86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ76N25T
  仓库库存编号：IXTQ76N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ86N20T
  仓库库存编号：IXTQ86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 76A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH76N25T
  仓库库存编号：IXTH76N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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