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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 178A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta），178A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT1606L
  仓库库存编号：785-1411-5-ND
  别名：785-1411-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N100Q
  仓库库存编号：IXFH14N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH67N10Q
  仓库库存编号：IXFH67N10Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 187W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7608-55,118
  仓库库存编号：BUK7608-55,118-ND
  别名：934045230118
  BUK7608-55 /T3
  BUK7608-55 /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S407ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S407ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4-07
  IPB80N06S4-07-ND
  SP000415568
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S407ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S407ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-07
  IPD90N06S4-07-ND
  SP000415586
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S407AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S407AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4-07
  IPI80N06S4-07-ND
  SP000415690
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S407AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S407AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4-07
  IPP80N06S4-07-ND
  SP000415706
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V,
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