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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 220W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXTL2N450
  仓库库存编号：IXTL2N450-ND
  别名： 627941
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N10T
  仓库库存编号：IXTP180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA180N10T
  仓库库存编号：IXTA180N10T-ND
  别名：615943
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N10T
  仓库库存编号：IXTQ180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH180N10T
  仓库库存编号：IXTH180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ700N20TL
  仓库库存编号：RCJ700N20TLCT-ND
  别名：RCJ700N20TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK966R5-60E,118
  仓库库存编号：1727-7263-1-ND
  别名：1727-7263-1
  568-9892-1
  568-9892-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N120P
  仓库库存编号：IXFH16N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX700N20
  仓库库存编号：RCX700N20-ND
  别名：RCX700N20CT
  RCX700N20CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA180N10T7
  仓库库存编号：IXTA180N10T7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 100A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXTL2X180N10T
  仓库库存编号：IXTL2X180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 16A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N120P
  仓库库存编号：IXFT16N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 9A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR16N120P
  仓库库存编号：IXFR16N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX21N100Q
  仓库库存编号：IXFX21N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK21N100Q
  仓库库存编号：IXFK21N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 40A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA40SA50LC
  仓库库存编号：VS-FA40SA50LC-ND
  别名：VSFA40SA50LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX60N55Q2
  仓库库存编号：IXFX60N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：FA38SA50LC
  仓库库存编号：FA38SA50LC-ND
  别名：*FA38SA50LC
  VS-FA38SA50LC
  VS-FA38SA50LC-ND
  VSFA38SA50LC
  VSFA38SA50LC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-262
  
  型号：NP80N055NDG-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N055NDG-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP80N06MLG-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N06MLG-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PLG-E1B-AYCT
  NP80N04PLGE1BAY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N06PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N06PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N06PLG-E1B-AYCT
  NP80N06PLGE1BAY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N06VLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N06VLG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N06VLG-E1-AYCT
  NP90N06VLGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA38SA50LCP
  仓库库存编号：VS-FA38SA50LCP-ND
  别名：VSFA38SA50LCP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 187W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9608-55,118
  仓库库存编号：BUK9608-55,118-ND
  别名：934045270118
  BUK9608-55 /T3
  BUK9608-55 /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 25V,
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