产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 760mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5103TRPBF
仓库库存编号:
IRLML5103PBFCT-ND
别名:*IRLML5103TRPBF
IRLML5103PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 320mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVNL110ASTZ
仓库库存编号:
ZVNL110ASCT-ND
别名:ZVNL110ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-223
型号:
ZVNL110GTA
仓库库存编号:
ZVNL110GCT-ND
别名:ZVNL110G
ZVNL110GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 320mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN2110A
仓库库存编号:
ZVN2110A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 320mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVNL110A
仓库库存编号:
ZVNL110A-ND
别名:TN0110N3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2LH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS670S2LH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS670S2L H6327CT
BSS670S2L H6327CT-ND
BSS670S2LH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 760mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5103GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML5103GTRPBFCT-ND
别名:IRLML5103GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2110GTA
仓库库存编号:
ZVN2110GCT-ND
别名:ZVN2110G
ZVN2110GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 320mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN2110ASTZ
仓库库存编号:
ZVN2110ASTZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 320mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN2110ASTOA
仓库库存编号:
ZVN2110ASTOA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 320mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN2110ASTOB
仓库库存编号:
ZVN2110ASTOB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 500mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2110GTC
仓库库存编号:
ZVN2110GTC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 320mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVNL110ASTOA
仓库库存编号:
ZVNL110ASTOA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 320mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVNL110ASTOB
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 760mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5103TR
仓库库存编号:
IRLML5103CT-ND
别名:*IRLML5103TR
IRLML5103
IRLML5103-ND
IRLML5103CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2L
仓库库存编号:
BSS670S2LINCT-ND
别名:BSS670S2LINCT
BSS670S2LXTINCT
BSS670S2LXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V,
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