产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J130TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J130TULFCT-ND
别名:SSM3J130TU(TE85L)CT
SSM3J130TU(TE85L)CT-ND
SSM3J130TULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J502NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6J502NULF(TCT-ND
别名:SSM6J502NULF(TCT
SSM6J502NULFCT
SSM6J502NULFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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Micro Commercial Co
MOSFET 2N-CH 20V 8A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8A Surface Mount DFN2030-6
型号:
MCCD2005-TP
仓库库存编号:
MCCD2005-TPMSCT-ND
别名:MCCD2005-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA413DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA413DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA413DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8092,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8092LQ(S-ND
别名:TPC8092LQ(S
TPC8092LQS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA413ADJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) 65W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK2266(TE24R,Q)
仓库库存编号:
2SK2266(TE24R,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8026(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ941EP-T1-GE3
仓库库存编号:
SQJ941EP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A06-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
别名:TPC8A06HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V,
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