产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),21W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR210ATM
仓库库存编号:
IRLR210ATM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),21W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR210ATF
仓库库存编号:
IRLR210ATF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 33W(Tc) TO-220-3
型号:
IRL610A
仓库库存编号:
IRL610A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3.1W(Ta),33W(Tc) I2PAK
型号:
IRLI610ATU
仓库库存编号:
IRLI610ATU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3.1W(Ta),33W(Tc) I2PAK
型号:
IRLW610ATM
仓库库存编号:
IRLW610ATM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.25W(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2308DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2308DS-T1-E3CT
SI2308DST1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD06N10-225L-E3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-E3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),16.7W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD06N10-225L-GE3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-GE3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP02N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP02N60S5HKSA1-ND
别名:SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU02N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU02N60S5BKMA1-ND
别名:SPU02N60S5
SPU02N60S5-ND
SPU02N60S5IN
SPU02N60S5IN-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N60S5BTMA1CT-ND
别名:SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 25V,
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