产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220TRPBF
仓库库存编号:
IRFR220PBFCT-ND
别名:*IRFR220TRPBF
IRFR220PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR224TRPBF
仓库库存编号:
IRFR224PBFCT-ND
别名:*IRFR224TRPBF
IRFR224PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620SPBF
仓库库存编号:
IRF620SPBF-ND
别名:*IRF620SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624SPBF
仓库库存编号:
IRF624SPBF-ND
别名:*IRF624SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 3.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU224PBF
仓库库存编号:
IRFU224PBF-ND
别名:*IRFU224PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU220PBF
仓库库存编号:
IRFU220PBF-ND
别名:*IRFU220PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR220TRLPBFCT-ND
别名:IRFR220TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF620PBF
仓库库存编号:
IRF620PBF-ND
别名:*IRF620PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD220PBF
仓库库存编号:
IRFD220PBF-ND
别名:*IRFD220PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA05N100
仓库库存编号:
IXTA05N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRLPBF
仓库库存编号:
IRF620STRLPBFCT-ND
别名:IRF620STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620GPBF
仓库库存编号:
IRFI620GPBF-ND
别名:*IRFI620GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263
型号:
IXTA05N100HV
仓库库存编号:
IXTA05N100HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 630mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD224PBF
仓库库存编号:
IRFD224PBF-ND
别名:*IRFD224PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF624PBF
仓库库存编号:
IRF624PBF-ND
别名:*IRF624PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 630mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD224
仓库库存编号:
IRFD224-ND
别名:*IRFD224
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100
仓库库存编号:
IXTP05N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 700mA(Tc) 25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100M
仓库库存编号:
IXTP05N100M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-251
型号:
IXTU05N100
仓库库存编号:
IXTU05N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF620
仓库库存编号:
IRF620IR-ND
别名:*IRF620
IRF620IR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 800mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD220
仓库库存编号:
IRFD220-ND
别名:*IRFD220
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624S
仓库库存编号:
IRF624S-ND
别名:*IRF624S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620S
仓库库存编号:
IRF620S-ND
别名:*IRF620S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF624
仓库库存编号:
IRF624-ND
别名:*IRF624
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620G
仓库库存编号:
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别名:*IRFI620G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V,
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